全校師生：
我校定于2017年5月18日舉辦研究生靈犀學(xué)術(shù)殿堂——閔泰報(bào)告會，現(xiàn)將有關(guān)事項(xiàng)通知如下：
1.報(bào)告會簡介
報(bào)告人：閔泰 教授
時(shí) 間：2017年5月18日（星期四） 上午10：30
地 點(diǎn)： 長安校區(qū) 理學(xué)院383報(bào)告室
主 題：Status of STT-MRAM and interface Spintronics
內(nèi)容簡介：Spin-transfer-torque (STT) MRAM has emerged as the most promising candidate for future L2/L3 cache and DRAM replacement due to its non-volatility, fast read and write time, small size, infinite endurance and compatibility with CMOS technology. There are still many remaining challenges for commercialization of STT-MRAM as disruptive memory technology. Especially, how to reduce the critical switching current at sub-20nm dimension.
The interface of hybrid junction takes the important role for low critical switching current because of the maintaining adequate thermal energy barrier, increasing tunneling magneto-resistance (TMR) and controlling the resistance distribution. In this talk, we will review the recent progress and future outlook of STT-MRAM and introduce the interface effects in Spintronics.
2.歡迎各學(xué)院師生前來聽報(bào)告。報(bào)告會期間請關(guān)閉手機(jī)或?qū)⑹謾C(jī)調(diào)至靜音模式。
黨委研究生工作部
理學(xué)院
2017年5月11日
報(bào)告人簡介
閔泰教授，材料學(xué)院自旋電子材料與量子器件研究中心主任。曾任美國TDK/MagIC/Headway資深總監(jiān)，下一代新型半導(dǎo)體存儲器研發(fā)及產(chǎn)品化的關(guān)鍵工程技術(shù)人才。1993年獲美國明尼蘇達(dá)大學(xué)電機(jī)系博士學(xué)位；1993至2015年在國際一流半導(dǎo)體企業(yè)任職，歷任資深總監(jiān)、總監(jiān)、經(jīng)理、主任工程師、高級工程師；2015年3月任西安交通大學(xué)材料學(xué)院全職教授。
主要研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件技術(shù)、存儲器和傳感器、自旋電子學(xué)效應(yīng)及應(yīng)用。成功研發(fā)出新型半導(dǎo)體器件；領(lǐng)導(dǎo)國際微電子研究中心（IMEC）研發(fā)團(tuán)隊(duì)，成功研發(fā)出業(yè)界領(lǐng)先的sub-20nm STT-MRAM及Spintronics技術(shù)。2014年發(fā)表了IMEC第一篇IEDM 論文，獲評IMEC 30年30項(xiàng)杰出成果之一；領(lǐng)導(dǎo)TDK公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出領(lǐng)先的新型存儲器產(chǎn)品，開創(chuàng)性地解決了磁性高速隨機(jī)非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品化的難題；發(fā)明了世界上唯一的遵循摩爾定律的磁性高速隨機(jī)非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，并成功研發(fā)出世界上第一個(gè)90nm級的電流驅(qū)動(dòng)高速隨機(jī)非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，擁有66項(xiàng)美國專利，奠定了公司的MRAM產(chǎn)品基礎(chǔ)。
